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真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)(除塵空間的電場(chǎng)分布)

4.3.2除塵空間的電場(chǎng)分布 在比電暈起始電壓Vo(V)更低的電壓V(V)下,距離陰極軸線(xiàn)50x(m)處的電場(chǎng)強(qiáng)度E(V/m),可由拉普拉斯方程divE=0求得: 式中,R為集塵電極半徑,m;r為陰極半徑,m。 如圖2-90曲線(xiàn)...


4.3.2除塵空間的電場(chǎng)分布
在比電暈起始電壓Vo(V)更低的電壓V(V)下,距離陰極軸線(xiàn)50x(m)處的電場(chǎng)強(qiáng)度E(V/m),可由拉普拉斯方程divE=0求得:

式中,R為集塵電極半徑,m;r為陰極半徑,m。
如圖2-90曲線(xiàn)A所示,圖中s為1m3的氣體中浮游的粉塵表面積總和,其大小對(duì)應(yīng)于x值按照雙曲線(xiàn)變化。當(dāng)升高電壓V開(kāi)始產(chǎn)生電暈放電時(shí),電場(chǎng)因離子空間電荷的作用而變形,通過(guò)解泊松方程可求得其場(chǎng)強(qiáng)值。此時(shí)的電場(chǎng)分布如圖2-90曲線(xiàn)B所示,即由于離子空間電荷效應(yīng),使距陰極x處的電場(chǎng)強(qiáng)度比A曲線(xiàn)更大,因而使電場(chǎng)分布均勻化。這種作用在放電電流強(qiáng)度i越大,或離子遷移率K越小時(shí)越顯著。當(dāng)x特別大時(shí),其附近電場(chǎng)強(qiáng)度E(V/m)及電流強(qiáng)度i(A/m)為:


式中,Vo為電暈起始電壓,

為電暈起始電場(chǎng)強(qiáng)度,V/m;C為集成空間常數(shù);K為離子遷移率。
這樣,除塵空間的電場(chǎng)分布,電壓電流特性都受到離子遷移率K的影響。圖2-90中的曲線(xiàn)C所示的是與離子比較,粉塵的遷移率非常小,因而形成了明顯的空間電荷,這不僅使電場(chǎng)的分布大大均勻而且使周?chē)碾妶?chǎng)升高,結(jié)果使火花電壓降低。

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